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名称：PMDXB950UPEZ
简述：双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
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双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMDXB950UPEZ
商品封装： DFN1010-6​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.014克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 500mA
导通电阻(RDS(on))： 1.02Ω@4.5V,500mA 耗散功率(Pd)： 265mW
阈值电压(Vgs(th))： 950mV 栅极电荷量(Qg)： -
输入电容(Ciss)： 43pF@10V 反向传输电容(Crss)： 8pF@10V
工作温度： -55℃~+150℃