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名称：PMDXB600UNEZ
简述：双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DEN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
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双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DEN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMDXB600UNEZ
商品封装： DFN1010-6​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.014克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 600mA
导通电阻(RDS(on))： 470mΩ@4.5V,600mA 耗散功率(Pd)： 265mW
阈值电压(Vgs(th))： 700mV 栅极电荷量(Qg)： 700pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 21.3pF@10V 反向传输电容(Crss)： 4.2pF@10V
工作温度： -55℃~+150℃