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PMDT670UPE,115
产品描述
产品参数
产品手册
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自营现货库存，门市自提，下单2小时可自提。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMDT670UPE,115 |
| 商品封装： | SOT-666 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.03克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 550mA |
| 导通电阻(RDS(on))： | 850mΩ@4.5V,400mA | 耗散功率(Pd)： | 330mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.3V | 栅极电荷量(Qg)： | 1.14nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 87pF@10V | 反向传输电容(Crss)： | - |
| 工作温度： | -55℃~+150℃@(Tj) | ||