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PMDT290UNE,115
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双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMDT290UNE,115 |
| 商品封装： | SOT-666 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.0191克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 800mA |
| 导通电阻(RDS(on))： | 380mΩ@4.5V,500mA | 耗散功率(Pd)： | 500mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 950mV@250uA | 栅极电荷量(Qg)： | 680pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 83pF | 反向传输电容(Crss)： | 7pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | 类型： | N沟道 |
| 输出电容(Coss)： | - | ||