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PMDPB70XP,115
产品描述
产品参数
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采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄SOT1118表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMDPB70XP,115 |
| 商品封装： | DFN2020-6(2x2) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.02克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 3.8A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 87mΩ@4.5V,2.9A | 耗散功率(Pd)： | 490mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1V | 栅极电荷量(Qg)： | 7.8nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 680pF@15V | 反向传输电容(Crss)： | 40pF@15V |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | ||