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PMDPB55XP,115
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双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型无引脚超薄DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMDPB55XP,115 |
| 商品封装： | DFN-6(2x2) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.025克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 3.4A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 55mΩ@4.5V | 耗散功率(Pd)： | 490mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 650mV | 栅极电荷量(Qg)： | 16.5nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 785pF | 反向传输电容(Crss)： | 64pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | 类型： | P沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 80pF | ||