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名称：PMCXB900UEZ
简述：采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMCXB900UEZ
商品封装： DFN1010-6​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.015克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 600mA；500mA
导通电阻(RDS(on))： 620mΩ@4.5V,600mA 耗散功率(Pd)： 265mW
阈值电压(Vgs(th))： 950mV 栅极电荷量(Qg)： 700pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 21.3pF@10V 反向传输电容(Crss)： -
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)