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名称：PMCPB5530X,115
简述：互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
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互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMCPB5530X,115
商品封装： DFN-6(2x2)​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.036克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 5.3A；4.5A
导通电阻(RDS(on))： 26mΩ@4.5V；55mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)： 490mW
阈值电压(Vgs(th))： 650mV；650mV 栅极电荷量(Qg)： 14.4nC@4.5V；8.1nC@5V
输入电容(Ciss)： 660pF；785pF 反向传输电容(Crss)： 74pF；53pF
工作温度： -55℃~+150℃ 类型： N沟道+P沟道
输出电容(Coss)： 87pF；63pF