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名称：NX7002BKSX
简述：双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
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产品描述
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双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： NX7002BKSX
商品封装： TSSOP-6-1.3mm​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.014克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 240mA
导通电阻(RDS(on))： 2.8Ω@10V,200mA 耗散功率(Pd)： 320mW
阈值电压(Vgs(th))： 2.1V 栅极电荷量(Qg)： 1nC@10V
输入电容(Ciss)： 23.6pF 反向传输电容(Crss)： 3pF
工作温度： -55℃~+150℃ 配置： -
类型： N沟道 输出电容(Coss)： 4.6pF