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名称：NX7002BKMBYL
简述：N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： NX7002BKMBYL
商品封装： DFN1006B-3​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.006克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 350mA
导通电阻(RDS(on))： 2.8Ω@10V,200mA 耗散功率(Pd)： 350mW；3.1W
阈值电压(Vgs(th))： 2.1V 栅极电荷量(Qg)： 1nC@10V
输入电容(Ciss)： 23.6pF@10V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)