分类：全部  >  二极管/三极管/晶体管
名称：NX3020NAKS,115
简述：双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。
￥0.37
  • 库存量： 3925
  • 起订量： 5
添加到购物车
立即购买
数量 价格
5+ ￥0.370000
50+ ￥0.294855
150+ ￥0.262650
500+ ￥0.218033
3000+ ￥0.200500
6000+ ￥0.189950
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： NX3020NAKS,115
商品封装： TSSOP-6(SOT-363)​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.022克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 180mA
导通电阻(RDS(on))： - 耗散功率(Pd)： 375mW
阈值电压(Vgs(th))： 1.5V@250uA 栅极电荷量(Qg)： 440pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 20pF 反向传输电容(Crss)： 1.1pF
工作温度： -55℃~+150℃ 类型： N沟道
输出电容(Coss)： 2.6pF