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名称：NX3008NBKV,115
简述：采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚 SOT666 表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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产品描述
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采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚 SOT666 表面贴装器件（SMD）塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： NX3008NBKV,115
商品封装： SOT-666​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.019克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 400mA
导通电阻(RDS(on))： 1.4Ω@4.5V,350mA 耗散功率(Pd)： 500mW
阈值电压(Vgs(th))： 1.1V 栅极电荷量(Qg)： 680pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 50pF@15V 反向传输电容(Crss)： -
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)