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NX3008NBKS,115
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双 N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | NX3008NBKS,115 |
| 商品封装： | TSSOP-6(SOT-363) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.022克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 350mA |
| 导通电阻(RDS(on))： | 1.4Ω@4.5V | 耗散功率(Pd)： | 445mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.1V@250uA | 栅极电荷量(Qg)： | 680pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 50pF | 反向传输电容(Crss)： | 2.2pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | 类型： | N沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 6.5pF | ||