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BUK9Y4R8-60E,115
产品描述
产品参数
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逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9Y4R8-60E,115 |
| 商品封装： | LFPAK56(PowerSO-8) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.355克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 60V | 连续漏极电流(Id)： | 100A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 2.9mΩ@10V | 耗散功率(Pd)： | 238W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.1V | 栅极电荷量(Qg)： | 54.8nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 5.89nF | 反向传输电容(Crss)： | 276pF |
| 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) | 类型： | N沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 506pF | ||