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BUK9Y22-100E,115
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逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK56(Power SO8)封装,使用 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9Y22-100E,115 |
| 商品封装： | LFPAK56-5 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.151533克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 100V | 连续漏极电流(Id)： | 49A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 22mΩ@5V,15A | 耗散功率(Pd)： | 147W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.1V@1mA | 栅极电荷量(Qg)： | 13.3nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 4.64nF | 反向传输电容(Crss)： | 178pF |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | 类型： | N沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 254pF | ||