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BUK9Y12-40E,115
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逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，采用LFPAK56（Power SO8）封装。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9Y12-40E,115 |
| 商品封装： | LFPAK56(PowerSO-8) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.143467克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 52A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 12mΩ@5V,15A | 耗散功率(Pd)： | 65W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.7V | 栅极电荷量(Qg)： | 9.8nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 1.423nF@25V | 反向传输电容(Crss)： | 120pF@25V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||