您的购物车是空的，赶紧选购吧!
关闭
确定
取消
BUK9M8R5-40HX
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
汽车级逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 9 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK33。该产品已通过 AEC Q101 认证,适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9M8R5-40HX |
| 商品封装： | LFPAK33-8 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.124733克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 40A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 8.5mΩ@10V,15A | 耗散功率(Pd)： | 59W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.15V | 栅极电荷量(Qg)： | 28nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 1.8nF@25V | 反向传输电容(Crss)： | 108pF@25V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||