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BUK9M5R0-40HX
产品描述
产品参数
产品手册
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汽车级逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK33封装和Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已通过AEC-Q101认证，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9M5R0-40HX |
| 商品封装： | LFPAK33-8 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.4克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 85A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 5mΩ@10V,20A | 耗散功率(Pd)： | 83W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.45V | 栅极电荷量(Qg)： | 39nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 2.631nF@25V | 反向传输电容(Crss)： | 150pF@25V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||