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名称:BUK9M15-60EX
简述:逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,采用 LFPAK33 (Power33) 封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
¥4.94
  • 库存量: 100
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥4.940000
10+ ¥4.074601
30+ ¥3.632881
100+ ¥3.080831
500+ ¥2.829864
1500+ ¥2.700051
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,采用 LFPAK33 (Power33) 封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK9M15-60EX
商品封装: LFPAK33-8​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.066克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 47A
导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@5V,10A 耗散功率(Pd): 75W
阈值电压(Vgs(th)): 2.1V 栅极电荷量(Qg): 17nC@5V
输入电容(Ciss): 2.23nF@25V 反向传输电容(Crss): 116pF@25V
工作温度: -55℃~+175℃