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名称:BUK9K45-100E,115
简述:采用TrenchMOS技术的LFPAK56D封装双逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
¥10.8
  • 库存量: 1000
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥10.800000
10+ ¥9.388397
30+ ¥8.511372
100+ ¥7.600932
500+ ¥7.200004
1500+ ¥7.016242
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
采用TrenchMOS技术的LFPAK56D封装双逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK9K45-100E,115
商品封装: LFPAK56D​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.194克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 21A
导通电阻(RDS(on)): 38.3mΩ@5V,5A 耗散功率(Pd): 53W
阈值电压(Vgs(th)): 1.7V 栅极电荷量(Qg): 33.5nC@10V
输入电容(Ciss): 1.614nF@25V 反向传输电容(Crss): 72pF@25V
工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)