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BUK9K35-60E,115
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产品参数
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双逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双电源 SO8）。该产品经设计和认证符合 AEC Q101 标准，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK9K35-60E,115 |
| 商品封装： | LFPAK56D | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.173333克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 60V | 连续漏极电流(Id)： | 22A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 35mΩ@5V | 耗散功率(Pd)： | 38W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.1V@1mA | 栅极电荷量(Qg)： | 7.8nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 1.081nF | 反向传输电容(Crss)： | 70pF |
| 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) | 配置： | - |
| 类型： | N沟道 | 输出电容(Coss)： | 118pF |