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名称:BUK9K25-40EX
简述:双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
¥7.51
  • 库存量: 50
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥7.510000
50+ ¥6.932308
100+ ¥6.643459
500+ ¥6.470150
1000+ ¥6.354617
产品描述
产品参数
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双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK9K25-40EX
商品封装: LFPAK56D​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.263克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 18.2A
导通电阻(RDS(on)): 29mΩ@5V,5A 耗散功率(Pd): 32W
阈值电压(Vgs(th)): 2.1V@1mA 栅极电荷量(Qg): 6.3nC@5V
输入电容(Ciss): 701pF 反向传输电容(Crss): 76pF
工作温度: - 类型: N沟道
输出电容(Coss): 114pF