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名称:BUK9K17-60EX
简述:双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
¥22.91
  • 库存量: 250
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥22.910000
10+ ¥20.818409
30+ ¥19.507659
100+ ¥18.169028
500+ ¥17.569450
1500+ ¥17.304519
产品描述
产品参数
产品手册
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双逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK9K17-60EX
商品封装: LFPAK56D​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.56克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 26A
导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@5V,10A 耗散功率(Pd): 53W
阈值电压(Vgs(th)): 1.7V 栅极电荷量(Qg): 16.5nC@5V
输入电容(Ciss): 2.223nF@25V 反向传输电容(Crss): 124pF@48V
工作温度: -55℃~+175℃