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BUK963R3-60E,118
产品描述
产品参数
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逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，采用 SOT404 封装。该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK963R3-60E,118 |
| 商品封装： | D2PAK | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 1.692克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 60V | 连续漏极电流(Id)： | 120A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 3mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 293W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.1V | 栅极电荷量(Qg)： | 95nC@5V |
| 输入电容(Ciss)： | 13.49nF@25V | 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) |