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名称:BUK7Y4R8-60EX
简述:标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
¥5.2
  • 库存量: 1550
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥5.200000
10+ ¥4.609930
30+ ¥4.289080
100+ ¥3.920285
500+ ¥3.758014
1500+ ¥3.684257
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK7Y4R8-60EX
商品封装: LFPAK-56-5​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.127克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 100A
导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V,25A 耗散功率(Pd): 238W
阈值电压(Vgs(th)): 3V 栅极电荷量(Qg): 73.1nC@10V
输入电容(Ciss): 5.52nF@25V 反向传输电容(Crss): 422pF@25V
工作温度: -55℃~+175℃