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名称:BUK7Y4R4-40EX
简述:标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已根据 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
¥5.14
  • 库存量: 250
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥5.140000
10+ ¥4.537972
30+ ¥4.209136
100+ ¥3.834764
500+ ¥3.667817
1500+ ¥3.596987
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已根据 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK7Y4R4-40EX
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 100A
导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V,25A 耗散功率(Pd): 147W
阈值电压(Vgs(th)): 4V 栅极电荷量(Qg): 39nC@10V
输入电容(Ciss): - 反向传输电容(Crss): -
工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)