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BUK7Y12-100EX
产品描述
产品参数
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标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK7Y12-100EX |
| 商品封装： | SOT-669 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.135克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 100V | 连续漏极电流(Id)： | 85A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 8.1mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 238W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 3V | 栅极电荷量(Qg)： | 68nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 5.067nF@25V | 反向传输电容(Crss)： | 270pF@25V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) | ||