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BUK7K6R2-40EX
产品描述
产品参数
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双标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，采用 LFPAK56D（双功率 SO8）封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK7K6R2-40EX |
| 商品封装： | LFPAK56D | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.12克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 40A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 5.8mΩ@10V,20A | 耗散功率(Pd)： | 68W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 4V | 栅极电荷量(Qg)： | 32.3nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 1.657nF | 反向传输电容(Crss)： | 208pF |
| 类型： | N沟道 | 输出电容(Coss)： | 354pF |