分类:全部  >  二极管/三极管/晶体管
名称:BUK7J1R4-40HX
简述:采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用增强型LFPAK56E封装。该产品经过全面设计并通过认证,符合AEC - Q101要求,具备高性能和耐用性。
¥14.39
  • 库存量: 100
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥14.390000
10+ ¥12.967549
30+ ¥12.078520
100+ ¥11.171101
500+ ¥10.754179
1500+ ¥10.576377
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用增强型LFPAK56E封装。该产品经过全面设计并通过认证,符合AEC - Q101要求,具备高性能和耐用性。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK7J1R4-40HX
商品封装: LFPAK56E-4​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.134克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 190A
导通电阻(RDS(on)): 1.4mΩ@10V,25A 耗散功率(Pd): 395W
阈值电压(Vgs(th)): 3.6V 栅极电荷量(Qg): 103nC@10V
输入电容(Ciss): 7.61nF@25V 反向传输电容(Crss): 524pF@25V
工作温度: -55℃~+175℃