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名称:BUK6Y24-40PX
简述:P沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用,如电池反接保护。
¥5.76
  • 库存量: 1480
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥5.760000
10+ ¥4.871837
30+ ¥4.382041
100+ ¥3.826938
500+ ¥3.578774
1500+ ¥3.467756
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
P沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用,如电池反接保护。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: BUK6Y24-40PX
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.141克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 39A
导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V,8.2A 耗散功率(Pd): 66W
阈值电压(Vgs(th)): 2V 栅极电荷量(Qg): 35nC@10V
输入电容(Ciss): 1.25nF@20V 反向传输电容(Crss): 100pF@20V
工作温度: -55℃~+175℃