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BUK6Y10-30PX
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产品参数
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P- 通道增强模式 MOSFET，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 LFPAK56 (Power SO8) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反向电池保护。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BUK6Y10-30PX |
| 商品封装： | LFPAK-56 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.19克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 80A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 10mΩ@10V | 耗散功率(Pd)： | 110W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 3V@250uA | 栅极电荷量(Qg)： | 64nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 2.36nF | 反向传输电容(Crss)： | 270pF |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | 类型： | P沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 470pF | ||