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名称：BUK6D43-60EX
简述：N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： BUK6D43-60EX
商品封装： DFN-6-MD(2x2)​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.036克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 13A
导通电阻(RDS(on))： 32mΩ@10V 耗散功率(Pd)： 15W
阈值电压(Vgs(th))： 1.7V 栅极电荷量(Qg)： 10nC@10V
输入电容(Ciss)： 590pF 反向传输电容(Crss)： 34pF
工作温度： -55℃~+175℃ 类型： N沟道
输出电容(Coss)： 60pF