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名称：BSH205G2R
简述：P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： BSH205G2R
商品封装： SOT-23​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.027克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 2.3A
导通电阻(RDS(on))： 170mΩ@4.5V,2A 耗散功率(Pd)： 890mW
阈值电压(Vgs(th))： 700mV 栅极电荷量(Qg)： 6.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)： 418pF@10V 反向传输电容(Crss)： 34pF@10V
工作温度： -55℃~+150℃