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BSH111BKR
产品描述
产品参数
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N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | BSH111BKR |
| 商品封装： | SOT-23 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.035克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 55V | 连续漏极电流(Id)： | 210mA |
| 导通电阻(RDS(on))： | 4Ω@4.5V,200mA | 耗散功率(Pd)： | 364mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.3V | 栅极电荷量(Qg)： | 500pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 30pF@30V | 反向传输电容(Crss)： | 7pF@30V |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | ||