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名称：2N7002BKW,115
简述：N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： 2N7002BKW,115
商品封装： SC-70​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.038克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 310mA
导通电阻(RDS(on))： 1.6Ω@10V,500mA 耗散功率(Pd)： 275mW
阈值电压(Vgs(th))： 2.1V 栅极电荷量(Qg)： 600pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 50pF@10V