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名称:PSMN8R3-40YS,115
简述:自营现货库存,门市自提,下单2小时可自提。
¥0.79
  • 库存量: 480
  • 起订量: 10
数量 价格
10+ ¥0.790000
100+ ¥0.760741
200+ ¥0.702222
1000+ ¥0.672963
2000+ ¥0.643704
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
自营现货库存,门市自提,下单2小时可自提。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: PSMN8R3-40YS,115
商品封装: SOT-669​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.144827克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 70A
导通电阻(RDS(on)): 8.6mΩ@10V,15A 耗散功率(Pd): 74W
阈值电压(Vgs(th)): 4V 栅极电荷量(Qg): 20nC@10V
输入电容(Ciss): 1.215nF@20V 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)