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PSMN4R8-100BSEJ
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采用D2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。与最新的“热插拔”控制器配合使用，该控制器足够坚固，能够承受开启时的大量浪涌电流，同时具有低RDS(ON)特性，可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于48 V背板/电源轨的电信系统
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN4R8-100BSEJ |
| 商品封装： | D2PAK | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 1.686克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 100V | 连续漏极电流(Id)： | 120A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 4.8mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 405W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 3V | 栅极电荷量(Qg)： | 278nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 14.4nF@50V | 反向传输电容(Crss)： | 643pF@50V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||