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PSMN4R2-30MLDX
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产品参数
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采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品系列，在保证高效率和低尖峰性能方面表现出色，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具备这些特性，但NextPowerS3却不存在令人困扰的高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用场景
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN4R2-30MLDX |
| 商品封装： | LFPAK33-8 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.063克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 70A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 5.7mΩ@4.5V,20A | 耗散功率(Pd)： | 65W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.2V@1mA | 栅极电荷量(Qg)： | 13.8nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 1.795nF | 反向传输电容(Crss)： | 130pF |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | 类型： | N沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 1.272nF | ||