您的购物车是空的，赶紧选购吧!
关闭
确定
取消
PSMN3R7-100BSEJ
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
自营现货库存，门市自提，下单2小时可自提。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN3R7-100BSEJ |
| 商品封装： | TO-263 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 1.678克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 100V | 连续漏极电流(Id)： | 120A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 3.95mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 405W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.66V | 栅极电荷量(Qg)： | 246nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 16.37nF@50V | 反向传输电容(Crss)： | 494pF@50V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||