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PSMN2R2-40PS,127
产品描述
产品参数
产品手册
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标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，可在 175℃ 下工作。本产品设计用于广泛的工业、通信和家用设备。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN2R2-40PS,127 |
| 商品封装： | TO-220AB | 包装方式： | 管装 |
| 商品毛重： | 3.1克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 100A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 1.75mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 306W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 4V | 栅极电荷量(Qg)： | 130nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 8.423nF@20V | 反向传输电容(Crss)： | 814pF@20V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) | ||