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PSMN1R1-40BS,118
产品描述
产品参数
产品手册
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采用D2PAK（SOT404）封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。本产品经设计和认证，可用于各种工业、通信和家用设备。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN1R1-40BS,118 |
| 商品封装： | D2PAK | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 1.955克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 40V | 连续漏极电流(Id)： | 120A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 1.3mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 306W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 4V | 栅极电荷量(Qg)： | 136nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 9.71nF@20V | 反向传输电容(Crss)： | - |
| 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) | ||