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PSMN1R0-30YLDX
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产品参数
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采用LFPAK56封装的300A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率、低尖峰性能，同时不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN1R0-30YLDX |
| 商品封装： | LFPAK-56 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.13克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 300A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 1.3mΩ@4.5V,25A | 耗散功率(Pd)： | 238W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.2V | 栅极电荷量(Qg)： | 57.3nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 8.598nF@15V | 反向传输电容(Crss)： | 510pF@15V |
| 工作温度： | -55℃~+175℃ | ||