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PSMN1R0-30YLC,115
产品描述
产品参数
产品手册
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逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PSMN1R0-30YLC,115 |
| 商品封装： | LFPAK56(PowerSO-8) | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.08克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 100A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 1.15mΩ@10V,25A | 耗散功率(Pd)： | 272W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.95V | 栅极电荷量(Qg)： | 103.5nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 6.645nF@15V | 工作温度： | -55℃~+175℃@(Tj) |