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名称：PSMN015-100P,127
简述：采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
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产品描述
产品参数
产品手册
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采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PSMN015-100P,127
商品封装： TO-220AB​ 包装方式： 管装
商品毛重： 3.38克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 75A
导通电阻(RDS(on))： 15mΩ@10V,25A 耗散功率(Pd)： 300W
阈值电压(Vgs(th))： 4V 栅极电荷量(Qg)： 90nC@10V
输入电容(Ciss)： 4.9nF@25V 反向传输电容(Crss)： -
工作温度： -55℃~+175℃@(Tj)