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名称:PSMN014-80YLX
简述:采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品经设计并通过认证,适用于各种电源和电机控制设备。
¥8.38
  • 库存量: 190
  • 起订量: 1
数量 价格
1+ ¥8.380000
10+ ¥7.076843
30+ ¥6.370970
100+ ¥5.565552
500+ ¥5.203561
1500+ ¥5.049721
产品描述
产品参数
产品手册
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采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品经设计并通过认证,适用于各种电源和电机控制设备。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: PSMN014-80YLX
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.26克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 80V 连续漏极电流(Id): 62A
导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@5V 耗散功率(Pd): 147W
阈值电压(Vgs(th)): 2.1V@1mA 栅极电荷量(Qg): 56.9nC@10V
输入电容(Ciss): 4.64nF 反向传输电容(Crss): 156pF
工作温度: -55℃~+175℃@(Tj) 配置: -
类型: N沟道 输出电容(Coss): 283pF