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PMZB350UPE,315
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P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在无引脚超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMZB350UPE,315 |
| 商品封装： | X1-DFN1006-3 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.056克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 1.4A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 450mΩ@4.5V,300mA | 耗散功率(Pd)： | 360mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 950mV | 栅极电荷量(Qg)： | 1.3nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 127pF | 反向传输电容(Crss)： | 25pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | 类型： | P沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 34pF | ||