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名称：PMZB290UNE2YL
简述：N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小型OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小型OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMZB290UNE2YL
商品封装： SOT-883-3​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.01332克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 1.2A
导通电阻(RDS(on))： 270mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)： 350mW
阈值电压(Vgs(th))： 700mV 栅极电荷量(Qg)： 800pC@4.5V
输入电容(Ciss)： 46pF 反向传输电容(Crss)： 7.7pF
工作温度： -55℃~+150℃ 类型： N沟道
输出电容(Coss)： 9.6pF