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名称：PMZ320UPEYL
简述：P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMZ320UPEYL
商品封装： SOT-883​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.015克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个P沟道
漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 1A
导通电阻(RDS(on))： 510mΩ@4.5V,1A 耗散功率(Pd)： 350mW；6.25W
阈值电压(Vgs(th))： - 栅极电荷量(Qg)： 1.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)： 122pF@15V 反向传输电容(Crss)： -
工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)