分类：全部  >  二极管/三极管/晶体管
名称：PMZ130UNEYL
简述：N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无铅超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
￥0.71
  • 库存量： 2550
  • 起订量： 5
添加到购物车
立即购买
数量 价格
5+ ￥0.710000
50+ ￥0.602332
150+ ￥0.548535
500+ ￥0.508186
2500+ ￥0.466898
5000+ ￥0.450773
产品描述
产品参数
产品手册
产品图像
N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无铅超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMZ130UNEYL
商品封装： SOT-883​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.012克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 1.8A
导通电阻(RDS(on))： 150mΩ@4.5V,1.8A 耗散功率(Pd)： 350mW
阈值电压(Vgs(th))： 950mV 栅极电荷量(Qg)： 1.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)： 93pF@10V 反向传输电容(Crss)： 16pF@10V
工作温度： -55℃~+150℃