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PMV65XPEAR
产品描述
产品参数
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P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMV65XPEAR |
| 商品封装： | SOT-23 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.026克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 2.8A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 78mΩ@4.5V | 耗散功率(Pd)： | 890mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1.25V@250uA | 栅极电荷量(Qg)： | 9nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 618pF | 反向传输电容(Crss)： | 58pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃@(Tj) | 类型： | P沟道 |
| 输出电容(Coss)： | 80pF | ||